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G3VM-61WR 光敏半導體MOS FET繼電器
  • G3VM-61WR 光敏半導體MOS FET繼電器

G3VM-61WR 光敏半導體MOS FET繼電器

所屬類別:MOS FET繼電器

產(chǎn)品規(guī)格:

G3VM-61WR 光敏半導體MOS FET繼電器
  • G3VM-61WR 光敏半導體MOS FET繼電器

G3VM-61WR 光敏半導體MOS FET繼電器

所屬類別:MOS FET繼電器

產(chǎn)品規(guī)格:

詳細內(nèi)容
G3VM-□WR 光敏半導體MOS FET
無引線的小型大容量封裝 P-SON新上市
負載電壓 30V/60V/100V
30V產(chǎn)品:連續(xù)負載電流 4.5A
60V產(chǎn)品:連續(xù)負載電流 3A
100V產(chǎn)品:連續(xù)負載電流 2A
支持高溫(使用環(huán)境溫度:-40℃~110℃)
MOS FET繼電器、光耦繼電器
  • 形狀 接點
    構(gòu)成
    端子種類 負載電壓
    (最大)*
    連續(xù)負載電流
    (最大)*
    包裝形式/卷切 包裝形式/帶狀包裝
    型號 最小
    包裝
    單位
    (個)
    型號 最小
    包裝
    單位
    (個)
    P-SON4 1a 表面安裝端子 30V 4.5A G3VM-31WR 1 G3VM-31WR(TR05) 500
    60V 3A G3VM-61WR G3VM-61WR(TR05)
    100V 2A G3VM-101WR G3VM-101WR(TR05)
    * 連續(xù)負載電流(最大)、負載電壓(最大):表示峰值AC、DC。
    注1. 帶狀包裝(表面安裝端子型)不是標準庫存機型。
    注2. 帶狀包裝(表面安裝端子型)的訂貨請在型號末尾加上(TR05)。
    以卷切品購入的P-SON產(chǎn)品因無防濕包裝,請在實際安裝時采用手工焊接。
    請一并參閱共通注意事項。
  • ■絕對最大額定值(Ta=25℃)
    項目 符號 G3VM-31WR G3VM-61WR G3VM-101WR 單位 條件


    側(cè)
    LED正向電流 IF 30 mA
    直流正向電流降低比率 ⊿IF/℃ -0.3 mA/℃ Ta≧25℃
    LED反向電壓 VR 6 V
    接合部溫度 TJ 125


    側(cè)
    負載電壓(峰值AC/DC) VOFF 30 60 100 V
    連續(xù)負載電流(峰值AC/DC) IO 4.5 3 2 A
    導通電流降低比率 ⊿IO/℃ -45 -30 -20 mA/℃ Ta≧25℃
    脈沖導通電流 Iop 10 9 6 A t=100ms, Duty=1/10
    接合部溫度 TJ 125
    輸入輸出間耐電壓 * VI-O 500 Vrms AC持續(xù)1分鐘
    使用環(huán)境溫度 Ta -40~+110 無結(jié)冰、無凝露
    保存溫度 Tstg -40~+125
    焊接溫度條件 260 10s
    * 測量輸入輸出間的耐壓時,分別對LED針腳、受光側(cè)針腳統(tǒng)一地施加電壓。
  • 外觀

    P-SON(Power - Small Outline Non-leaded)

    P-SON4針
    G3VM-WR:外觀1
    *產(chǎn)品的型號標識

    型號 顯示
    G3VM-31WR 3W0
    G3VM-61WR 6W0
    G3VM-101WR AW0
    注1. 標記內(nèi)容與實際產(chǎn)品有所不同。
    注2. 產(chǎn)品的型號中沒有標明“G3VM”。


    外形尺寸(單位:mm)

    表面安裝端子
    重量:0.02g

    G3VM-WR:外觀2
    ※標記內(nèi)容與實際產(chǎn)品有所不同。

    實際焊盤尺寸(推薦值)(TOP VIEW)
    G3VM-WR:外觀3
    ※未注尺寸公差為±0.1mm。
    端子配置/內(nèi)部接線圖(TOP VIEW)
    G3VM-WR:外觀4

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